[반도체] MOS 구조및 응용 텀프로젝트
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작성일 23-04-16 20:55
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또한 MOS 구조에서는 산화막 자체나 그 계면에 전하가 존재하는 것이 실제 상황이지만, 이해를 쉽게 하기 위해 우선 이러한 전하의 존재를 무시하는 이상적인 경우에 마주향하여 설명(explanation)한다. 물질 외부에 해당되는 진공의 에너지 준위는 위치에 따라 연속적인 함수이므로 각 물질들의 일함수()와 전자 친화도()를 알면 에너지 밴드도를 그릴 수 있다 그 예로서 알루미늄(일함수=4.1eV), 산화막(전자 친화도~0.95eV), 일정한 농도로 도핑된 p형 실리콘 (전자 친화도=4.05eV)으로 이루어지는 MOS 구조를 고려해 보자. 그림 1-1은 이 세가지 물질들이 서로 격리되어 있는 경우의 에너지 밴드도를 보여주고 있다
MOS 구조및 응용 텀프로젝트
[반도체] MOS 구조및 응용 텀프로젝트
초기의 MOS 구조에는 앞서 언급했듯이 금속이 게이트 물질로 사용되었으나 근래의 기술에서는 일반적으로 금속 대신 고농도로 도핑된 폴리실리콘이 사용되고 있다 하지만 그 전기적 特性(특성)은 유사하므로 여기서는 금속을 사용하는 경우를 가정하여 그 特性(특성)을 설명(explanation)한다.
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mos,반도체, 열펼형, 에너지 밴드
MOS 구조및 응용 텀프로젝트
1. MOS 구조
다.
순서
설명
1.1 열평형 상태의 에너지 밴드도
열평형 상태에서 세 가지 서로 다른 물질이 하나의 시스템을 이룰 경우 페르미 준위가 높은 물질로부터 페르미 준위가 낮은 물질로 전자가 이동하여 시스템은 하나의 평탄한 페르미 준위를 갖게 된다된다.
