transistor의 컬렉터特性(특성)
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작성일 24-01-05 13:21
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더욱이 사용된 기호는 비록 상당 수준으로 표준화 되었지만 항상 같지는 않다.
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transistor의 컬렉터特性(특성)
transistor의 컬렉터特性(특성)에 대한 글입니다.
각 커브는 VCE의 함수(VCE 의 여러값에 대한)로서 Ic를 그리므로 얻어진다. 각 커브는 입력 베이스 전류의 증가에 따라 컬렉터 전류가 증가함을 반영하고 있음에 주목해야한다. 다른 characteristic(특성)은 여기서 省略한다.
그림1은 2N4074에 대한 약간의 characteristic(특성)을 보여준다.
세로축 VCE = -1의 오른쪽에서는 컬렉터 전류가 실질적으로 컬렉터 전압에 관계없고 주로
베이스 전류에만 좌우…(省略)
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다. 이 커브들은 transistor(트랜지스터) 매개 변수 變化(변화)에 대한 효과(效果)를 보여줌으로 회로설
자 그리계고 기술자에게 중요한 정보원이 된다
2. mean(평균) 콜랙터 characteristic(특성), 공통 이미터 회로구성.
그림 2는 PNP형 2N217 공통 이미터 구성 회로에 대한 mean(평균) 콜랙터 characteristic(특성) VCE와 Ic를 보여준다. 기술자는 그들이 사용하는 transistor(트랜지스터) 매뉴얼과 친숙해야한다.
5. transistor(트랜지스터) characteristic(특성) 커브
transistor(트랜지스터) 메뉴얼에 포함된 transistor(트랜지스터) characteristic(특성)커브는 transistor(트랜지스터) 에 관하여 그래픽 형태로 정보를 제공한다. 모 든 transistor(트랜지스터) 매뉴얼 리스트(manual list)가 그들의 characteristic(특성)을 이런 식으로 표시하지는 않는다.
