바이오나노학부 나노 工學(공학) 實驗(실험) 보고서 photoresist
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작성일 23-08-21 07:49
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하나는 Positive photoresist, 다른 하나는 Negative photoresist이다.
⑦ 상이 선명해질 때까지 Develop을 진행한다. develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다.
⑤ 두 Wafer 모두 UV를 비춰준다.
2. 실험 theory
-Photoresist는 빛을 조사하면 화학 alteration(변화) 를 일으키는 수지를 말하며, 자외선 영역에서 가시광선 영역 파장…(To be continued )3. Materials and Method.
① Wafer를 acetone과 IPA로 깨끗하게 씻어내고 Blower로 건조시킨다. 이번 실험에서 알아보고자 한 것은 negative와 positive Photoresist의 image차이이다.
⑧ 상이 선명해지면 alpha step을 이용하여 두께를 측정(測定) 한다.
③ 1μm의 두께로 AZ5214E를 spin coating 한다. Spin speed는 5000rpm이고 Time은 40sec이다.
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나노 工學실험 레포트(report)
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
바이오나노학부
1. Introduction
-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. 그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다.4. Result.
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