[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Photo Lithography
페이지 정보
작성일 25-07-26 23:15본문
Download : [공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography.docx
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다. 實驗 과정
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 變化(변화)를
9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 實驗을 반복한다.
다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다. 이번 實驗에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 變化(변화)를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 effect을 주는지 확인하고자 한다.
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.
(…(skip)4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다.2. 實驗 방법
가. 實驗 변수PR 두께
Developing time
Exposure time
1~2 micri meter
90 sec
2 sec
5 sec
10 sec
나. 實驗 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료
다.
![[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Photo%20Lithography_docx_01.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EA%B3%B5%ED%95%99,%EA%B8%B0%EC%88%A0%5D%20%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4%EA%B3%B5%EC%A0%95%20%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20Photo%20Lithography_docx_01.gif)
![[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Photo%20Lithography_docx_02.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EA%B3%B5%ED%95%99,%EA%B8%B0%EC%88%A0%5D%20%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4%EA%B3%B5%EC%A0%95%20%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20Photo%20Lithography_docx_02.gif)
![[공학,기술]%20반도체공정%20실험%20-%20Photo%20Lithography_docx_03.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EA%B3%B5%ED%95%99,%EA%B8%B0%EC%88%A0%5D%20%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4%EA%B3%B5%EC%A0%95%20%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20Photo%20Lithography_docx_03.gif)
실험과제/기타
Download : [공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography.docx( 72 )
설명
[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Photo Lithography
순서
[工學(공학) ,기술] 반도체공정 實驗(실험) - Photo Lithography
공학,기술,반도체공정,실험,Photo,Lithography,기타,실험과제
[공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography , [공학,기술] 반도체공정 실험 - Photo Lithography기타실험과제 , 공학 기술 반도체공정 실험 Photo Lithography
實驗: Photo Lithography
1. 實驗 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정(測定) 한다.