산화공정 test(실험) 보고서
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작성일 23-08-25 21:45
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이러한 방법으로 산화공정은 실리콘 평면 기술의 발전에서 주요 임무를 수행하게 되었고 오늘날까지도 웨이퍼 제작공定義(정이) 중요한 부분을 說明(설명) 하는 데 이용한다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다.
실험과제/기타
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산화공정
1. 實驗(실험)목적
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO 박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.2. 이론(理論)배경
- 산화막(Oxide Film)일반적으로…(생략(省略))
3. 實驗(실험)방법
설명
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다. 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기(HO)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO)을 형성 시키는 공정이다. 이 개발은 transistor(트랜지스터) 를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다.
