[공과기술] kn1133125 transistor(트랜지스터) 등가회로 / 목 적 정상바이어스된 transistor(트랜지스…
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작성일 23-03-22 13:20
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는 에 대한 의 비를 표시했던 전류전달률과 같은 것으로 간주하면 된다 이들의 대한 대표적인 크기는 Ω ㏁ Ω 식 2정도이다. 이 론 여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 마주향하여 (Ω) 식 1의 관계로써 구해진다. 이때 이고, 이다.
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목 적 정상바이어스된 transistor(트랜지스터) 의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미...
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공과기술 kn1133125 트랜지스터등가회로 / 목 적 정상바이어스된 트랜지스터의 소
목 적 정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미...
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목 적 정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hyid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정(測定) 하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸민다. 다음은 -등가회로를 -파리미터와 비교해 보도록 한다. (비가역회로). 이제는 트랜지스터의 하이브리드 파라미터 모델(-parameter model)에 대하여 살펴보도록 하자. 식 5 트랜지스터를 -파리미터로 표시할 때에는, 는 각각 그 特性(특성)을 살려서 로 표기하고, 그 각각을 입력임피던스 (input impedance) 역방향전압비율 (reverse voltage ratio) 순방향전류비율...
[공과기술] kn1133125 transistor(트랜지스터) 등가회로 / 목 적 정상바이어스된 transistor(트랜지스터) 의 소
설명
다. -파라미터는 4단자(terminal)회로망에 대하여 식 3의 식으로 표시된다 식 4 여기서 특기할 만한 사실은 와 이 서로 다르다는 점이다. 는 가 역방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 그 크기는 수 ㏁정도이다. 는 낮게 도핑(doping)된 베이스 부분을 가로지르는 저항을 표시하며, 컬렉터전압에 따라서 실제 베이스 길이가 변하기 때문에 도 따라서 변화한다. 일반적으로 수동소자의 경우에 있어서는 이 되어 가역회로(reciprocal circuit) 이지만, 트랜지스터 -등가회로의 경우에 있어서는 이며, 이것은 트랜지스터가 능동소자이기 때문에 입출력을 바꾸었을 때 特性(특성)이 달라짐을 의미한다.
