산화공정 실험보고서
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작성일 23-03-08 21:11
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실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. MOSFET에서는 source와 drain을 연결하는 channel을 형성하는 유기시키기 위해 의도적으로 gate에 충분히 얇은 산화막을 성장시킨다. 도핑 중 도펀트는 실제로는 산화층 내로 확산된다.
- 산화막(Oxide Film)
열적으로 성장된 SiO의 주요 이점은 따라다니는 실리콘 화학결합을 묶음으로써 발생되는 실리콘의 표면상태 밀도의 감소이다.
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. MOS 소자에서 게이트 구조는 소자를 통해서 흐르는 전류의 흐름을 제어한다.
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산화공정 실험보고서
일반적으로 750℃에서 1100℃ 사이의 열적 산화 온도에서 산화물층이 웨이퍼 위에 성장된다. 그러나, 실리콘보다는 산화막에서 천천히 확산된다. 소자의 신뢰성이 중요하기 때문에 게이트 산화물은 집적된다. 이산화규소는 절연체 물질이고 전기를 도통시키지 않는다. 산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다
●표면 안정화
●소자보호와 격리
웨이퍼의 표면에서 성장된 이산화규소는 실리콘에서 민감한 소자를 보호하고 격리하기 위한 효율적인 장벽의 역할을 한다. SiO는 실리콘 표면에서 활성 소자를 분리시키는 데 효율적인 매우 강하고 조밀한 구조를 갖는 물질이기 때문에 물리적으로 소자를 보호한다.레포트 > 자연과학계열
●확산공정
MOS 기술의 광범위한 사용은 공정 개발에서 주요 관련 게이트 산화물의 구성을 만들게 된다. 단단한 SiO층은 제조공정 동안 발생될 수도 있는 손상과 공정 손실로부터 실리콘을 보호하게 된다.
다. 이러한 산화막을 게이트 산화막이라고 한다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다
설명
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●게이트 산화물 유전체
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도핑 방법은 산화막에 패턴을 형성하고 도펀트를 확산 또는 이온 주입 시키는 것이다. 실리콘상의 산화물층은 열 산화물 또는 열 이산화규소(SiO)라고 부른다. 이산화규소는 산화 물질이기 때문에 두 가지 조건이 내부 교환에 사용이되다 또 다른 이산화규소는 유리이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다.
